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拖稿好一陣子，很抱歉，因為我在構思如何將這兩種記憶體不同之處，以較簡單的方式介紹給大家，這並不如我想像中般的容易。
Dram 〈Dynamic Random Access Memory〉﹝隨機存取記憶體﹞，是一種揮發性記憶體〈Volatility memory〉，易即失去電力供應時，保存的資料會失去，國外大廠如美光 (Micron)、三星 (Samsung)、海力士 (Hynix)以及爾必達 (Elpida)，國內的力晶、華亞科、南科、茂德以及華邦電，所生產的標準型及利基型 Dram 皆屬之，利基型 Dram 指的是有特殊功用，比如應用於手機上或是其他電子產品中，電路與標準型不同。國內 Dram IC 設計廠晶豪科以及鈺創就是設計此種產品。而 Flash memory ﹝快閃記憶體﹞，則是非揮發性記憶體〈Non-volatility memory〉，也就是無電力供給時，資料並不會因此消失不見。國外大廠如美光 (Micron)、三星 (Samsung)、海力士 (Hynix)、東芝 (Toshiba)，皆有從事 Flash 晶片的生產。而常聽到 Flash IC 設計相關廠商，如群聯、慧榮、擎泰，這些廠商設計的是Flash controller，並非是 Flash 的晶片設計。
Dram 保存資料之處，是使用電容筒〈Storage node, SN〉，架構為 MIM〈Metal-Insulator-Metal〉，由 Fig.1 所示，當 Dram 要寫入資料時，會將 Bit-line〔位元線〕 的電位拉高，再將選定儲存單位的 Gate〔閘極〕打開，資料即可流入 SN 內，而後再將Gate 關掉。
Fig. 1 Dram 儲存資料示意圖 (Vcc 各公司規格不同)。
如要讀取的時候，會將選定儲存單位的 Gate 打開，因 SN 的電流至 Bit-line ，使得 Bit-line 原先電位產生變化，當 S/A〈Sense amplifier〉〔感應器〕感應到電位不同，即可判定 SN 內的資料是 0 或 1。如 Fig. 2 所示。
Fig. 2 Dram 讀取資料示意圖 (以 SN 資料為 1 舉例)。
為什麼 Dram 的資料不能像 Flash memory 一樣，失去電力時還能保存呢？因其先天結構就會漏電，會由 Junction leak 、 Channel leak 、 Isolation leak 、 Dielectric leak。這四種模式漏電，也因此 Dram 時常需要 Refresh〔刷新〕，將流失的資料補足，因此不能將電源給關閉。
Flash Memory 的架構與 Dram 不同，如 Fig. 3 所示，其架構多了一個 FG〈Floating gate〉〔懸浮閘〕，但沒有 SN。
Fig. 3 Flash memory 結構示意圖。
不論是 NOR flash、NAND flash，其電子的保存，皆是存於FG 內，差別只是結構不同，NOR 在 cell 部分是採用並聯方式，一個 cell 會有一個Bit-line contact ，NAND flash 則是採用串聯方式，故體積會比 NOR flash 來的小。NOR flash 主要的應用面在於手機或是 Bios，其寫入資料的方式是採用 CHEI〔熱電子注入〕的方式，將 Drain〔汲極〕的電子拉入 FG 內，Erase〔抹除〕則是使用 FN tunneling 的方式將資料抹除。如 Fig. 4
Fig. 4 NOR flash 寫入以及抹除示意圖。
NAND flash 應用面則是在於記憶卡以及 SSD〈Solid-State-Disk〉〔固態硬碟〕，許多人常常搞混，Dram 以及 NOR flash並不是構成 SSD 的元件，而是 NAND flash 才是。其寫入資料以及抹除資料皆是採用 FN 的方式【如 Fig. 5 所示】，其方式是將 Gate 施加高電壓，利用Coupling〔偶合效應〕，將電子拉入 FG 內。而因為資料存於 FG 內很穩定，並不需要做 Refresh 動作，也因此不需通電即可保存資料。
Fig. 5 NAND flash write and erase.
許多人會有個疑問，既然 NAND flash 不需電力即可將資料保存，為何不用來取代 Dram？主要因素有價格、壽命以及速度三方面，NAND flash 與 Dram 相比，價格較高，壽命較短、速度較慢，因此無法取代 Dram.
相信從報章雜誌可以見到，國際記憶體大廠，美光、海力士以及三星，除了 Dram製造外，皆有生產 NAND flash。這是因為不論 Dram 以及 NAND flash，所用的製程，大部分都是 FEOL〈Front-end-of-line〉〔前段製程〕為主，BEOL〈Back-end-of-line〉〔後段製程〕的金屬層，至多只有三層，這與一般的 Logic〔邏輯廠〕恰巧相反。
Dram 廠如果也將 Flash 製造納入有兩個好處，其一是可以根據市況，進行 Flash 以及 Dram 產能的調配，其二則是 Flash 製程可扮演製程開發的驅動者。
Flash 製程發展一向是最快速的，因為他的 cell 架構為 one dimension〔一維〕，也因此進步最快，目前已經推到 32nm 的世代【不過因為市況不好，還未到量產階段】。Dram 的 cell 則是 2-dimension〔二維〕，可將 Flash 製程開發的經驗套至 Dram 下一世代的開發。
Flash memory 推進至 32nm 世代，首當其衝的就是 Photo process〔黃光製程〕，雖說黃光已經有 Immersion〔浸潤式〕機台，但其 Resolution〔解析度〕，極限在 4x nm，為了解決這個問題，有人提出了 Double patterning 〔雙重曝光〕製程，以便迎合要求。其基本概念就是第一次先曝出 1:3 之line space〔線與間距〕，而後再將 Mask〔光罩〕，移動後再次曝光，最終形成 line space 1:1 的 pattern。【如 Fig. 6 所示】。但實際上並不是如此做，若有興趣可以查論文，現今有許多相關的論文發表。
Fig. 6 Double patterning 示意圖。
憑良心說，半導體業的研發，燒錢如流水，並且常常伴隨著全是一場空的風險，Double patterning 這個技術，印象中 A 與 T 有一起合作，不過開發的並不是很順利，也因此聽說兩家公司交情連帶受影響。而先前 T 的 ECMP〔電化學機械研磨〕，開發也是觸礁，也許停掉了。也難怪許多老闆不願意碰觸研發這一塊，畢竟一兩百億燒下去，換來一場空，不但財務部門的主管會一直追著咬外，整個部門也會黑掉，大老闆也難對股東交代。但研發這塊又不能不走，只是很難見到願意投入大把資源進行研發的公司。
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