pickchu 的旅遊天地

  拖稿好一陣子，很抱歉，因為我在構思如何將這兩種記憶體不同之處，以較簡單的方式介紹給大家，這並不如我想像中般的容易。
  Dram 〈Dynamic Random Access Memory〉﹝隨機存取記憶體﹞，是一種揮發性記憶體〈Volatility memory〉，易即失去電力供應時，保存的資料會失去，國外大廠如美光 (Micron)、三星 (Samsung)、海力士 (Hynix)以及爾必達 (Elpida)，國內的力晶、華亞科、南科、茂德以及華邦電，所生產的標準型及利基型 Dram 皆屬之，利基型 Dram 指的是有特殊功用，比如應用於手機上或是其他電子產品中，電路與標準型不同。國內 Dram IC 設計廠晶豪科以及鈺創就是設計此種產品。而 Flash memory ﹝快閃記憶體﹞，則是非揮發性記憶體〈Non-volatility memory〉，也就是無電力供給時，資料並不會因此消失不見。國外大廠如美光 (Micron)、三星 (Samsung)、海力士 (Hynix)、東芝 (Toshiba)，皆有從事 Flash 晶片的生產。而常聽到 Flash IC 設計相關廠商，如群聯、慧榮、擎泰，這些廠商設計的是Flash controller，並非是 Flash 的晶片設計。

   以下這些文章，是我個人意見的文章，並無特殊立場，如有巧合，純屬虛構，並且歡迎大家討論以及指教。
   本來說好要寫 flash 及 dram 相關性的文章，但我還在構思怎樣寫的「淺顯易懂」些，以及 TMC 這邊看起來比較精彩，就讓我拖稿一下吧。

   先前發的文章，引起了些迴響，也收到許多網友的指教。文中有許多英文，並不是本人愛賣弄，死工程師幹久了，就會有這種習慣，而有些專有名詞，翻成中文反到更看不懂，這邊希望讀者能多多包含。
  半導體這產業就像是軍備競賽，一但開打就得天天與時間賽跑，比搶客戶，Run貨速度，製程開發能力…等等。製程能力一但落後就代表競爭力不如人，不用說落後一個世代了，製程落後個幾季，也許就註定往後的勝敗。像 T 跟 U 的競爭，完全拉開差距就在於 0.13 um 的世代。從那之後 U 就穩居二哥寶座，公司內完全沒有一個人有喊過我們要成為一哥，就知道這壁壘有多麼的堅固了。

   小弟剛好有些想法，對於 TMC 的成立，有些許的看法要與大家分享。我時常看板上對 Dram 產業的文章，時常提到三星強就是「研發強」，這種說法只算對了一半，因為只靠研發強就能賺錢的話，美光、爾必達就不會虧損，奇夢達也就不會倒閉了。三顆星星強的不只是研發有水準，其 cost down 以及垂直整合的能力，也是一把罩，所以可以撐到最後才賠錢。
   雖說 TMC 究竟要打算怎麼做，情況還不是很明朗，我只能由現今公佈的“新聞稿”推得到的資訊來加以分析。宣先生是打算成立 Dram 研發公司，其不需要 fab.，並以 300億資金來玩。個人是認為這種說法可能有些不大可行的地方。